R1RW0416DSB-2PI#D1
![kualitas [#varpname#] pabrik](/images/load_icon.gif){kind=icon}
produsen:
RENESAS
Deskripsi:
R1RW0416D-I - Suhu luas R
Kategori:
Penyimpanan
Spesifikasi
Kategori:
Sirkuit terintegrasi (IC)
Memori
Memori
Status Produk:
Aktif
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Paket:
Besi
Seri:
R1RW0416DI
Antarmuka Memori:
Paralel
Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman:
12ns
Paket Perangkat Pemasok:
44-TSOP II
Tipe Memori:
Lincah
Mfr:
RENESAS
Ukuran memori:
4Mbit
Tegangan - Pasokan:
3V ~ 3,6V
Paket / Kasus:
44-TSOP (Lebar 0,400", 10,16 mm)
Organisasi Memori:
256Kx16
Suhu operasi:
-40°C ~ 85°C (TA)
teknologi:
SRAM - Asinkron
Waktu akses:
12 n
Format memori:
SRAM
Pengantar
SRAM - IC Memori Asinkron 4Mbit Paralel 12 ns 44-TSOP II
Produk terkait
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: