W29N02KVBIAE TR
![kualitas [#varpname#] pabrik](/images/load_icon.gif){kind=icon}
produsen:
Elektronik Winbond
Deskripsi:
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
Kategori:
Penyimpanan
Spesifikasi
Kategori:
Sirkuit terintegrasi (IC)
Memori
Memori
Status Produk:
Aktif
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Paket:
Tape & Reel (TR)
Seri:
-
DigiKey Dapat Diprogram:
Tidak diverifikasi
Antarmuka Memori:
ONFI
Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman:
25ns
Paket Perangkat Pemasok:
63-VFBGA (9x11)
Tipe Memori:
Tidak mudah menguap
Mfr:
Elektronik Winbond
Ukuran memori:
2Gbit
Tegangan - Pasokan:
2.7V ~ 3.6V
Waktu akses:
20 detik
Paket / Kasus:
63-VFBGA
Organisasi Memori:
256Mx8
Suhu operasi:
-40°C ~ 85°C (TA)
teknologi:
FLASH - NAND (SLC)
Nomor produk dasar:
W29N02
Format memori:
KILATAN
Pengantar
Flash - NAND (SLC) Memori IC 2Gbit ONFI 20 ns 63-VFBGA (9x11)
Produk terkait
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: