W632GG6NB-12
![kualitas [#varpname#] pabrik](/images/load_icon.gif){kind=icon}
produsen:
Elektronik Winbond
Deskripsi:
IC DRAM 2GBIT PARALEL 96VFBGA
Kategori:
Penyimpanan
Spesifikasi
Kategori:
Sirkuit terintegrasi (IC)
Memori
Memori
Ukuran memori:
2Gbit
Status Produk:
Aktif
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Paket:
Tray
Seri:
-
DigiKey Dapat Diprogram:
Tidak diverifikasi
Antarmuka Memori:
Paralel
Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman:
15ns
Paket Perangkat Pemasok:
96-VFBGA (7,5x13)
Tipe Memori:
Lincah
Mfr:
Elektronik Winbond
Frekuensi Jam:
800 MHz
Tegangan - Pasokan:
1.425V ~ 1.575V
Waktu akses:
20 detik
Paket / Kasus:
96-VFBGA
Organisasi Memori:
128M x 16
Suhu operasi:
0°C ~ 95°C (TC)
teknologi:
SDRAM-DDR3
Nomor produk dasar:
W632GG6
Format memori:
DRAM
Pengantar
SDRAM - IC Memori DDR3 2Gbit Paralel 800 MHz 20 ns 96-VFBGA (7,5x13)
Produk terkait
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: